La diode est le composant électronique de base : on ne peut pas combiner du silicium dopé plus
simplement.
Son fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur commandé par une tension (Vd)
qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Cette propriété lui ouvre un champ d'applications assez vaste en électronique dont les plus courantes
sont :
• Le redressement du courant alternatif issu du secteur ;
• la régulation de tension à l’aide de diodes Zener, qui ont un comportement de source de
tension quasi idéale.
La fonction diode a existé bien avant l'arrivée du silicium : on utilisait alors des diodes à vide (les
lampes ou tubes, voir Figure 2) dont le fonctionnement était basé sur l'effet thermoélectronique. Le
silicium a apporté une amélioration de la fiabilité du composant, une réduction de son encombrement,
une plus grande simplicité d'utilisation et une réduction de prix.
La jonction PN est un élément fondamental de l’électronique. En modifiant certains paramètres
(concentration en impureté, géométrie de la jonction, etc.) on obtient des composants diversifiés
utilisables dans de nombreux domaines dont le classement succinct est le suivant :
• Diodes de redressement et de l’électronique de puissance
o Diodes de redressement classique,
o Diodes à avalanche contrôlée,
o Diodes rapides de commutation et de récupération,
o Diodes haute tension, etc.
• Diodes de signal dans le domaine général
o Diodes rapides1
o Diodes à faible courant de fuite, etc.
• Diodes utilisées en avalanche inverse
o Diodes stabilisatrices de tension (diodes « Zener »),
o Diodes de référence,
o Diodes de protection, etc.
• Diodes de l’électronique rapide
o Diodes tunnel et backward,
o Diodes Schottky,
o Dioses varicap,
o Diodes PIN,
o Diodes gunn,
o Dioses Impatt, etc.
• Diodes de l’optoélectronique
o Diodes électroluminescentes LED,
o Diodes laser,
o Photodiodes,
o Photopiles,
o Cellules photovoltaïques, etc.
• Autres dispositifs
o Thermistance,
o Varistances,
o Cellules photorésistantes,
o Cellules de Hall, etc.
Dans les pages qui suivent, nous nous intéresserons seulement aux diodes de redressement et aux
diodes Zener.
Principe de fonctionnement
La jonction PN
Un matériau semi conducteur est composé d’atomes qui possèdent 4 électrons sur la couche
extérieure (atome quadrivalent). Le matériau semi conducteur le plus employé à l’heure actuelle est le
silicium.
Considérons un petit morceau de silicium. Si on en dope une partie avec des atomes à 5 électrons
périphériques, le semi conducteur devient de type N, c'est-à-dire que les des porteurs majoritairement
présents dans la maille cristalline sont des électrons. Si l’on dope l'autre partie avec des atomes à 3
électrons périphériques, le silicium devient de type P, c'est-à-dire que les charges mobiles majoritaires
sont des trous (positifs) dans cette région du silicium. On a crée une jonction PN, qui est la limite de
séparation entre les deux parties.
Nous avons fabriqué une diode à jonction.
Équilibre au niveau de la jonction PN sans champ électrique extérieur.
Au voisinage de la jonction, les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone N
(il y a diffusion des charges). Ce phénomène va s'arrêter quand le champ électrique Eint créé par les
atomes donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et -) va être suffisant
pour contrarier le mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une barrière de potentiel pour les
porteurs majoritaires. Par contre, cette barrière de potentiel va favoriser le passage des porteurs
minoritaires (conduction électrique).
Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires) s'équilibrent
et leur somme est nulle en régime permanent et en l'absence de champ électrique extérieur.
Avec un générateur en sens direct
La barrière de potentiel interne empêche donc toute circulation de courant. Si on applique un champ
externe à l'aide d'un générateur en branchant le pôle + sur la zone P et le pôle - sur la zone N, on peut
annuler les effets du champ interne et permettre au courant de circuler : le phénomène d'attraction
des électrons libres de la partie N par les trous de la partie P (diffusion) n'est plus contrarié, et le
générateur va pouvoir injecter des électrons dans la zone N et les repomper par la zone P.
Le courant de conduction constitué par les porteurs minoritaires prend une valeur If indépendante du
champ extérieur.
Le courant total est la somme des deux courants, soit pratiquement le courant direct dû aux porteurs
majoritaires dès que la tension atteint la centaine de mV.
La diode est alors polarisée dans le sens direct, et un courant relativement intense peut circuler : de
quelques dizaines de milliampères pour des diodes de signal à quelques ampères pour des diodes de
redressement standard, voire à des centaines d'ampères pour des diodes industrielles de très forte
puissance.
Avec un générateur en sens inverse
Si on branche le générateur dans le sens inverse du cas précédent, on renforce le champ électrique
interne, et on empêche le passage des porteurs majoritaires : les électrons libres sont repoussés dans
la zone N et les trous dans la zone P ; on accentue la séparation des charges (zone de déplétion).
Par contre, les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et électrons libres pour la zone P) peuvent
traverser la jonction et reboucler par le générateur : ils forment le courant inverse If qui dépend
essentiellement de la température.
Le champ extérieur repousse les charges qui vont se trouver à une distance sensiblement
proportionnelle à |V|, créant ainsi une capacité proportionnelle à cette distance, donc à |V|.
Cette capacité est inhérente à toute jonction de semi conducteurs, et va constituer la principale
limitation (en régime linéaire tout du moins) au fonctionnement à haute fréquence des composants
électroniques (diodes, transistors et circuits intégrés les employant).